В России запатентована первая отечественная микросхема памяти DDR5, ничем не уступающая западным аналогам
DDR5 по-русски
Редакция CNews обнаружила в базе данных Федеральной службы по интеллектуальной собственности патент российской компании «Мегаполис-Телеком регион» на отечественный модуль оперативной памяти стандарта DDR5. К моменту выпуска материала это был самый современный стандарт ОЗУ, и еще даже не все процессоры, доступные в рознице, умели с ним работать.
Модуль ОЗУ – это микросхема памяти, чип, монтируемый на планке, которая в дальнейшем вставляется в соответствующий слот материнской платы компьютера или ноутбука. В некоторых случаях микросхемы распаиваются непосредственно на системной плате, без дополнительных слотов и планок.
На регистрацию патента потребовался едва ли не рекордно короткий промежуток времени – заявку разработчики подали 19 июля 2024 г., а номер патента был присвоен изобретению спустя всего полтора месяца, 9 сентября 2024 г. сертификат действует до 9 сентября 2034 г., то есть в течение ровно 10 лет с момента выдачи. Номер патента – 2024630175.
Не хуже аналогов
Ключевым отличием модулей памяти DDR5 от DDR4 является гораздо более высокая производительность при меньшем потреблении энергии. Стандарт появился в 2020 г., и по мере распространения соответствующие планки памяти становятся все более доступными как в плане широты выбора, так и в плане розничной цены.
Судя по приведенному в патенте описанию, отечественная микросхема DDR5 К1661РП1ВЯ своим иностранным аналогам не уступает. Ее планируется изготавливать в корпусе FBGA для поверхностного монтажа на модулях (планках) RAM, «требующих большой плотности памяти и высокой пропускной способности».
По утверждению разработчиков, созданная ими микросхема имеет эффективную тактовую частоту в диапазоне 4800-5600 МГц и может работать при температуре от 0 до +85 градусов Цельсияя. Ее пропускная способность составляет 38400 Мбит/с.
Каждая микросхема DDR5 К1661РП1ВЯ имеет объем 2 или 4 ГБ и рассчитана на напряжение питания 1,1 В. Что еще более важно, микросхема имеет встроенный код коллекции ошибок ЕСС, что, в теории, позволяет использовать ее в планках оперативной памяти, предназначенных для серверов – в них эта технология востребована намного чаще, нежели в настольных ПК и ноутбуках.
Также в описании к патенту приведены следующие характеристики: дифференциальные тактовые входы (СК, СК#), двунаправленный строб данных DQS, фиксация данных по восходящему и спадающему фронту строба данных, а также поддержка режимов максимального энергосбережения и автоматического обновления с внутренней температурной компенсацией (TCAR). Помимо этого, микросхеме реализована поддержка режимов LPASR (автоматическое самообновление с низким энергопотреблением) и обновления Self Refresh и Auto Refresh.
Для сравнения, к моменту выпуска материала в российской рознице была доступна планка памяти DDR5 модели Team Group серии Elite с модельным номером TED58G4800C40016 и объемом 8 ГБ. Она стоит 3400 руб. и располагает кодом коррекции ошибок ECC, а также тактовой частотой 4800 МГц.
https://www.cnews.ru/news/top/2024-09-24_rossiyane_sozdali_pervuyu