Samsung разработает быструю оперативную память LLW DRAM с низким энергопотреблением
![Samsung разработает быструю оперативную память LLW DRAM с низким энергопотреблением](https://3dnews.ru/assets/external/illustrations/2024/01/10/1098570/silicon-wafer-samsung.jpg)
Samsung разрабатывает новый тип памяти под названием Low Latency Wide I/O (LLW) DRAM, которая обладает очень высокой пропускной способностью, малой задержкой и низким энергопотреблением. Компания предлагает в первую очередь использовать новую память в системах искусственного интеллекта на базе больших языковых моделей (LLM), хотя также подобная память подойдёт и для других рабочих нагрузок, включая клиентские. Источник изображения: Samsung