Samsung представил первую микросхему памяти DDR5 на 32 Гбит
Компания Samsung представила первую в мире микросхему DDR5 DRAM емкостью 32 Гб, что является значительным скачком. Изготовленная с использованием технологического процесса производства DRAM класса 12 нм, микросхема обеспечивает повышенную плотность при меньшем энергопотреблении.
Эта микросхема позволит Samsung создавать модули DIMM большей емкости, которые ранее были непрактичны. К ним относятся модули памяти емкостью 1 Тбайт, построенные из 40 стеков памяти 8-Hi 3DS с использованием восьми устройств памяти объемом 32 Гб. Несмотря на кажущуюся чрезмерность, такой большой объем памяти неоценим для серверов искусственного интеллекта, больших данных и баз данных, обеспечивая вычислительную мощность, необходимую для решения сложных задач.
Ранее AMD положила конец слухам о возможной сделке с Samsung по производству будущих микросхем для центров обработки данных. Они гласили, что Samsung получила заказы на 4-нм микросхемы от одного из крупных заказчиков ЦОД, возможно, AMD.