Samsung организует в Китае выпуск 236-слойной флеш-памяти 3D NAND
С 2014 года компания Samsung Electronics развивает свою производственную площадку в китайском городе Сиань, и в настоящее время она обеспечивает до 40 % объёмов выпуска микросхем памяти типа 3D NAND этой марки, но лишь в 128-слойном исполнении. Послабления в сфере экспортного контроля США позволят Samsung в следующем году наладить в Китае выпуск более современных 236-слойных микросхем. Источник изображения: Samsung Electronics