IEDM 2023: Intel, TSMC и другие компании работают над транзисторами 2 нм и меньше
Ранее мы рассказали об исследованиях в области питания транзисторов с обратной стороны кристалла , которые жизненно необходимы для дальнейшего развития индустрии. Как и в случае с технологией PowerVia, в следующем году мы можем ожидать появления первых транзисторов RibbonFET от Intel. Помимо Intel, TSMC также рассказала о своих инновациях в рамках конференции IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2023).
Исследования разных материалов играют все большую роль в полупроводниковой индустрии. Конечно, мы говорим только о кремниевых чипах, но производители уже давно используют практически всю периодическую таблицу Менделеева. Необходимые электрические свойства, достаточные характеристики изоляции, максимально простая обработка – существуют десятки факторов, которые важны при выборе того или иного материала. Например, для первых транзисторов RibbonFET Intel будет использовать SiGe (кремний-германий).
{nozuna nzdoubleimagefromgallery}9cc80397-9814-11ee-88a5-000c29322405 3 6{/nozuna nzdoubleimagefromgallery}Intel и TSMC, похоже, движутся в одном и том же направлении для дальнейшего развития ...