High-NA EUV: Intel о возможностях и рисках новой технологии
В декабре компания Intel получила от ASML первый EUV-сканер High-NA . Сейчас он находится на заводе Fab D1X в американском штате Орегон и будет смонтирован голландской компанией в ближайшие месяцы, чтобы в начале 2025 года Intel могла начать экспонировать на нем кристаллы по своим собственным техпроцессам. В течение следующего года планируется достичь наиболее важных точек тестирования, которые позволят начать массовое производство в 2026 году.
Новые технологии будут разрабатываться в Орегоне, а затем переноситься на глобальные фабрики – будь то производство пластин или технологии корпусировки. Совсем недавно так произошло с техпроцессом Intel 4 на фабрике Fab 34 в Ирландии. Именно так Intel поступает со всеми новыми технологиями, поскольку команда DT (Technology Development) базируется в Орегоне (Хиллсборо). Первые процессоры Meteor Lake были корпусированы в Орегоне с использованием Foveros, хотя сами кристаллы поставляются из Орегона, Ирландии ...