Samsung представила три новые серии SSD на памяти 3D V-NAND
На днях стало известно, что компания Samsung приступила к массовому производству третьего поколения «вертикальной» флеш-памяти 3D V-NAND. Новые микросхемы вдвое увеличили ёмкость — до 256 Гбит — без заметного увеличения площади кристалла. Произошло это за счёт увеличения числа слоёв на 50 % — с 32 до 48, а также за счёт использования трёхбитовой ячейки памяти типа TLC. На базе новых высокоплотных 3D V-NAND микросхем компания Samsung сразу же представила эталонный дизайн SSD-накопителей: серию PM1725 с шиной PCI Express... Читать дальше...