Японский консорциум разработал фоторезист, открывающий путь к EUV-литографии
Чтобы перенести рисунок электронной схемы с фотомаски на полупроводниковый кристалл, на полупроводниковую пластину необходимо нанести светочувствительный материал — фоторезист. Под воздействием потока фотонов материал изменит свои свойства, а последующий смыв фоторезиста раствором оставит на пластине рисунок будущих цепей для дальнейшего травления.
Ожидаемый в 2017–2018 годах переход на излучение в крайнем ультрафиолетовом диапазоне с длиной волны 13,5 нм (EUV) предъявляет новые требования к фоторезисту. Само по себе жёсткое излучение способно повредить кремниевую подложку, поэтому время экспозиции должно быть снижено до порядка одной фемтосекунды (до миллиардной доли микросекунды). Современные фоторезисты не способны работать с такой короткой выдержкой. При этом фоторезист должен сохранять механическую прочность. Попросту говоря, современные смеси могут быть либо механически устойчивыми, но с длительной выдержкой проекции, либо слабоустойчивыми, но с повышенной светочувствительностью.