Европейские микросхемы могут быть не хуже «китайских»
В марте этого года расположенный в Гренобле институт CEA-Leti — Европейский центр разработки полупроводниковых и других технологий — предложил «национальную» программу поддержки европейских разработчиков полупроводников. Программа «Silicon Impulse» даёт возможность завершить цикл разработки решений в Европе, включая выпуск изделий не в далёком Китае, а рядом — по-домашнему. Глобализация вывела за скобки европейские компании полупроводникового сектора, но остатки былых наработок всё ещё позволяют Европе грозно «бряцать пробирками».
На днях в программу «Silicon Impulse» внесено интересное дополнение. Сообщается, что теперь европейским разработчикам будет доступен 28-нм техпроцесс с применением подложек SOI с полностью обеднённым изолятором (fully-depleted silicon-on-insulator, FD-SOI). По слухам, подобные подложки может широко использовать компания Samsung при производстве 14-нм однокристальных схем для «умных» часов Apple Watch. В общем случае использование подложек с полностью обеднённым изолятором снижает токи утечки и повышает энергоэффективность микросхем и решений.