Русско-японский графеновый материал принципиально улучшает флеш-память
![Русско-японский графеновый материал принципиально улучшает флеш-память](https://3dnews.ru/assets/external/illustrations/2020/01/27/1002366/10.jpg)
Группа учёных Национального исследовательского технологического университета «Московский институт стали и сплавов» и Национального института квантовых наук и радиологии (Япония) разработала материал, способный существенно увеличить плотность записываемой информации на флеш-накопители. Новый материал также полностью снимает лимит перезаписи, что позволит внедрить устройства на его основе в актуальную технологию Big Data. Учёные использовали комбинацию из графена и полуметаллического сплава Гейслера Co2FeGaGe (кобальт-железо-галлий-германий). Статья о его разработке опубликована в журнале Advanced Materials.