IBM научилась выпускать чипы с питанием 0,3 вольта

Традиционная процессорная архитектура компании IBM носит имя «Power», которое в переводе не нуждается. Это мощь, производительность и бескомпромиссность — качества, которые помогли вычислительным платформам IBM попасть в первые строчки рейтинга мощнейших суперкомпьютеров мира. Но теперь в почёте не столько пиковая производительность, как энергоэффективность. Одно другого не исключает, да. Тем не менее, обстановка на рынке полупроводников требует смещения акцента на активное снижение потребления там, где только возможно.

В ходе доклада под названием «14nm FinFET Based Supply Voltage Boosting Techniques for Extreme Low Vmin Operation» на симпозиуме VLSI Technology 2015, который прошёл в середине июня в Киото, представитель компании IBM рассказал об уникальной технологии, способной снизить рабочее напряжение транзисторов до 0,3 вольт. Компания представила 14-нм SRAM-память, выпущенную на SOI-подложке с использованием FinFET-транзисторов. Новая технология представляет собой комбинацию схемы динамически изменяемого напряжения питания (применительно к SRAM — это повышение питания по разрядной шине) и работы с напряжением на уровне порогового значения (0,2-0,3 В).