Китайский завод Intel по выпуску 3D NAND сильнее всего ударит по SK Hynix

Свежий анонс компании Intel о планах переоборудовать свою единственную в Китае 300-мм фабрику под выпуск памяти типа 3D NAND для многих стал если не шоком, то предвестником неприятностей. Порядка десяти лет назад компания Intel свернула собственное производство флеш-пмаяти типа NOR и не проявляла активности в развитии производства флеш-памяти типа NAND. Вместо неё память NAND выпускала компания Micron, а оформлено всё это было как совместное с Micron предприятие Intel Micron Flash Technologies (IMFT). Ввод в строй собственного завода Intel по выпуску флеш-памяти типа NAND в самом совершенном её проявлении — в виде многослойных микросхем 3D NAND — способен превратить Intel в конкурента компании Micron и привести к сворачиванию деятельности компании IMFT. Впрочем, пока развал IMFT кажется маловероятным. Зато очевидно другое — валовой объём производства флеш-памяти NAND-типа увеличится в объёме мощностей нового завода компании Intel. Ранее компания не озвучивала объёмы китайского производства Fab 68, которое она переведёт на выпуск 3D NAND. Согласно неофициальной информации, завод Intel ежемесячно может обрабатывать до 52 тыс. 300-мм кремниевых пластин. Это возможности «чистой комнаты» завода, и вряд ли затеянная компанией модернизация поможет ощутимо увеличить её пропускную способность. Полсотни тысяч пластин в месяц — это достойные объёмы. Компании Samsung и Toshiba такими не испугать, а вот компания SK Hynix сильнее всех рискует потерять кусок рынка флеш-памяти. Интересно, затеянный SK Hynix свежий проект по постройке двух полупроводниковых заводов общей стоимостью 26 млрд долларов США — это попытка усилить позиции на рынке энергонезависимой памяти, или вариант с диверсификацией для выхода на рынок контрактных полупроводников?