Память 3D NAND откроет путь четырёхбитовой ячейке флеш-памяти
Флеш-память с четырёхбитовой ячейкой (QLC) выпускалась сравнительно в небольших объёмах. Устойчивость к износу у микросхем NAND-флеш QLC была на крайне низком уровне, и она годилась лишь для выпуска карточек памяти. Во всяком случае, память QLC не успела оказать влияние на ценовую политику на рынке SSD. Вполне возможно, что до неё дошёл бы черёд, но усилиями компания Samsung в ход пошла «вертикальная» многослойная память 3D NAND. Следует сказать, что переход на многослойную память не ставит крест на четырёхбитовой ячейке памяти. Более того, он открывает перед памятью типа QLC совершенно новые перспективы. Технология 16-уровневой записи как бы отодвигается по шкале времени, но вовсе не списывается в утиль (в двоичной системе для записи четырёх бит данных требуется 16 уровней сигнала (заряда) в каждой ячейке). Дело в том, что для производства 3D NAND используются техпроцессы класса 30–40 нм. Поэтому ячейка памяти вновь оказывается достаточно большой, чтобы хранить заряды со многими уровнями. Кроме этого объём ячейки 3D NAND увеличивается за счёт кольцевой структуры, которая формируется вокруг вертикального канала TSVs-металлизации.